据悉，三星电子及美光科技等存储芯片龙头企业计划于2024年初把DRAM价格提高15%-20%，相较于今年第四季度的较为稳定，预计执行此举是为了加快恢复利润。在涨价名单中，属于DRAM的DDR4和DDR5被提到主要对象。

部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；步入新年后，随着手机和服务器需求渐复苏，DRAM供给趋势将趋于紧张。

专家认为，三星有望领跑此次DRAM产品的价格调整行动。至于韩国的DRAM供应商，他们主动放慢了下半年DRAM的使用率。2023年的最后一个季度， 亿配芯城 三星的 DRAM产量只有首季的大约70%，并增加了先进制程产能的占比。他们还预测2024年首季将继续严格管理DRAM出货量，芯片供应商需要进一步提高高级节点的产能，同时削减成熟工艺的产出。

各主要DRAM芯片商如三星、美光等，曾采用1X或1Y纳米的制作工艺进行DDR4产品制造，然而在去年，三星将其8GB和16GB产品转为更先进的1Z纳米工艺，而美光则将DDR4生产全面转移至1α纳米工艺。此外，存储芯片制造商已开始从16GB DDR5的1β节点向更高端的工艺升级。

结合去年年末的市场状况观察，无论是DRAM还是NAND都没有出现明显的供需失衡现象，显示终端市场需求尚未完全回暖。新年伊始，业内普遍认为未来市场走势将较为谨慎。

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